– Technopat

Samsung, Exynos 2600 ile mobil işlemci tarafında ısı yönetimi konusunda önemli bir adım atmıştı. Şirketin bir sonraki nesil işlemcisi Exynos 2700 ise yalnızca üretim süreciyle değil, çipin fiziksel yerleşimini değiştiren yeni mimarisiyle de dikkat çekiyor.

Exynos 2700’de Samsung’un daha gelişmiş bir ısı bloğu ve yan yana yerleşim esasına dayanan SBS mimarisi kullanacağı belirtiliyor. Bu yeni tasarım, bellek bant genişliğinde yüzde 30 ile yüzde 40 arasında artış getirebilir

. Aynı zamanda işlemcinin gerçek kullanım senaryolarında daha serin ve daha verimli çalışmasının önü açılıyor.

Samsung Exynos 2700, RAM ve SoC yerleşimini değiştiriyor

Exynos 2700’ün Samsung’un SF2P üretim sürecinden çıkması bekleniyor. Bu süreç, Exynos 2600’de kullanılan 2 nm GAA üretim teknolojisinin yeni nesil versiyonu olarak öne çıkıyor.

GAA, yani Gate-All-Around mimarisi, kapı yapısının kanalın dört tarafını tamamen sardığı üç boyutlu bir transistör tasarımı kullanıyor. Dikey şekilde istiflenen nanosheet yapısı sayesinde elektrostatik kontrol artıyor ve daha düşük voltaj eşiğiyle çalışmak mümkün hale geliyor.

Samsung’un SF2P süreci, önceki nesil SF2 düğümüne göre brüt performansta yüzde 12 artış ve toplam enerji tüketiminde yüzde 25 düşüş sunacak şekilde konumlanıyor

. Ancak Exynos 2700’deki asıl büyük değişiklik üretim sürecinden çok çipin iç yerleşiminde kendini gösteriyor.

Exynos 2600’de sandviç benzeri bir tasarım kullanılıyor. Bu yapıda RAM, SoC’nin üzerine yerleştiriliyor. RAM’in üzerinde ise bakır tabanlı Heat Path Block, yani HPB adlı ısı bloğu bulunuyor. Bu tasarım, ısı verimliliği tarafında önceki çözümlere göre avantaj sağlasa da SoC ile RAM arasında ısının hapsolmasına yol açabiliyor.

Exynos 2700’de ise Samsung’un Fan-out Wafer Level Packaging, yani FOWLP teknolojisinden yararlanacağı belirtiliyor

. Bu yaklaşımda RAM, SoC’nin üstüne istiflenmek yerine yanına yerleştiriliyor. İki birim wafer seviyesinde entegre ediliyor. Böylece Samsung, klasik dikey yığma yaklaşımı yerine daha kısa bağlantı yollarına sahip yatay bir mimariye geçiyor.

Bu değişiklik, bellek tarafında doğrudan performans kazanımı getirebilir. Daha kısa bağlantı yolları sayesinde bellek bant genişliğinde yüzde 30 ile yüzde 40 arasında artış bekleniyor. Aynı yapı, güç verimliliğini de olumlu etkiliyor

. Çünkü verinin SoC ile bellek arasında daha kısa mesafede taşınması, enerji kaybını azaltıyor.

Yeni yerleşimin ısı yönetimi tarafındaki etkisi de önemli. RAM’in SoC’nin üstünden alınarak yanına taşınması, ısı bloğunun hem işlemci hem de bellek üzerinde daha etkili konumlanmasını sağlıyor. HPB ısı bloğu bu kez yalnızca RAM’in üstünde değil, SoC ve RAM’i kapsayan daha verimli bir yüzeyde görev yapabiliyor. Bu da Exynos 2700’ün uzun süreli yük altında daha stabil çalışmasına katkı sağlayabilir.

Exynos 2600, mevcut bilgiler doğrultusunda Qualcomm’un Snapdragon 8 Elite Gen 5 işlemcisine göre termal kararlılık tarafında avantajlı bir noktada duruyor

. Exynos 2700’de kullanılacak SBS mimarisi ve geliştirilmiş ısı bloğu, Samsung’un bu alandaki farkını daha da büyütebilir.

Yeni işlemciyle birlikte Samsung’un yalnızca daha güçlü bir Exynos üretmekle kalmayıp, mobil çiplerde paketleme ve ısı yönetimi yaklaşımını da değiştirdiği görülüyor. RAM ve SoC’nin yan yana konumlandığı bu yapı, performans artışının yanı sıra enerji verimliliği ve sürdürülebilir performans açısından da Exynos 2700’ü önemli bir konuma taşıyabilir.

Etiketler: exynosExynos 2700Samsung